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MGY30N60D SI N-IGBT Transistor | | UCE | 600V | | UGE | 20V | IC | 50A | Ptot | 202W | TON/TOFF | 156/536nS | TJ | - | Photo: | - | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | Erweiterte Informationen zu MGY30N60D | OEM: | Motorola Sem... [mehr] Motorola Semiconductor Products Inc. | Gehäuse: | TOP-3L | MGY30N60D Datenblatt (jpg): | - | MGY30N60D Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GT50J301, [mehr] GT50J301,GT60M301 | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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MGY30N60D SI N-IGBT Transistor | | UCE | 600V | | UGE | 20V | IC | 50A | Ptot | 202W | TON/TOFF | 156/536nS | TJ | - | Photo: | - | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Erweiterte Informationen zu MGY30N60D | OEM: | Motorola Sem... [mehr] Motorola Semiconductor Products Inc. | Gehäuse: | TOP-3L | MGY30N60D Datenblatt (jpg): | - | MGY30N60D Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GT50J301, [mehr] GT50J301,GT60M301 | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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GT50J301 SI N-IGBT Transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Ähnlicher Typ: GT50J301 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT50J301 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT50J301 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | MGY30N60D | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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GT50J301 SI N-IGBT Transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Ähnlicher Typ: GT50J301 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT50J301 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT50J301 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | MGY30N60D | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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GT50J301 SI N-IGBT Transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 600V | | UGE | ±20V | IC DC/AC | 50/100A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 400/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Ähnlicher Typ: GT50J301 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT50J301 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT50J301 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | MGY30N60D | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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GT60M301 SI N-IGBT Transistor similar to MGY30N60D, see note | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | Ähnlicher Typ: GT60M301 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT60M301 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT60M301 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | - | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp